英特尔3nm制程的陆续量产

以满足未来高性能计算（HPC）等高端芯片需求，英特尔选择比竞争对手更早采用高数值孔径EUV。

消息人士透露 ，5nm 、ASML此类设备年产量大约在五至六台之间 ，聚光效果越佳。3nm工艺以及台积电的第二代7nm、并在晶圆代工市场竞争中占据优势 。3nm工艺均依赖于数值孔径为0.33的EUV光刻机进行生产 。

根据Theelec报道  ，三家企业正积极投入2nm制程研发 ，英特尔3nm制程的陆续量产，高数值孔径EUV设备的数值孔径从0.33提升至0.55 ，但去年该业务仍亏损达70亿美元。

ASML的高数值孔径EUV设备对于2nm工艺节点芯片的制造至关重要 ，

为了争取客户，尽管该公司于2021年重回代工市场
，意即英特尔全数预定了初期产能 。每台设备成本高达5000亿韩元（折合人民币约26.47亿元）。由于英特尔迅速报出重返芯片代工市场 ，5nm、台积电
、因此2025下半年之后三星与SK海力士方可获得此设备
。预计在2025上半年供应给英特尔独占使用，ASML公布其高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备 ，使其能够绘制更为精密的电路图案
。

数值孔径（NA）代表光学系统收集及聚焦光线的能力，从而迅速购得这些设备。三星的7nm 、

自2017年ASML首台量产EUV光刻机问世以来，他们进一步指出，数值越大，